Untitled
Âü°í: Â÷Àç Technology ¿¬°£±¸µ¶(2022.10~2023.09),
55,000¿£->±¸µ¶Çϱâ
<ƯÁý 1> ±×¸° ¼ö¼ÒÀÇ Á¦Á¶
±â¼ú°ú ÇâÈÄÀÇ Àü¸Á, °úÁ¦
- ³ì»ö ¼ö¼ÒÀÇ »çȸ ±¸Çö ¹®Á¦
(ÁÖ)X-Scientia ÈÄ·ç¾ß¸¶ Ã÷¾²È÷»ç
- ¾ËÄ®¸®¼ö ÀüÇØÀÇ Ãֽа³¹ß µ¿Çâ°ú ½Ç¿ëȸ¦
ÇâÇÑ °úÁ¦
µ¾Å丮 ´ëÇÐ Ã÷Áö ¿¡Áö
- °í¿Â ¼öÁõ±â ÀüÇØ¹ý¿¡ ÀÇÇÑ °íÈ¿À² ¼ö¼Ò Á¦Á¶
񃬣
µµ½Ã¹Ù ¿¡³ÊÁö ½Ã½ºÅÛÁî (ÁÖ) ³ª°¡Å¸ °Õ¿Í
- ³ì»ö ¼ö¼Ò Á¦Á¶¸¦ À§ÇÑ Àΰø ±¤ÇÕ¼º ±¤Ã˸ÅÀÇ
Ãֽе¿Çâ°ú µµÀü
µµÄì À̰ú ´ëÇÐ Äíµµ ¾ÆÅ°È÷ÄÚ
- Z ¹æ½Ä ¼öºÐÇØ ±¤Ã˸Ÿ¦ ÀÌ¿ëÇÑ ÅÂ¾ç ¼ö¼Ò Á¦Á¶
ÀåÄ¡
TOTO(ÁÖ) µµÄí·ç·ç È÷·ÎÀ¯
µµÄìµµ½Ã´ëÇÐ ¿ÀÄí³ªÄ« »çÀ¯¸®
<ƯÁý2> Â÷¼¼´ë ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ
°³¹ß µ¿Çâ°ú µð¹ÙÀ̽º °³¹ß
- ½Ç¸®ÄÜ IGBTÀÇ Ãֽе¿Çâ°ú SiC ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ
Çö»ó°ú °úÁ¦
¾²Äí¹Ù ´ëÇÐ ÀÌ¿Í ¹«·Î °ÕÀ¯Å°
- SiC-MOSFETÀÇ °³¹ß µ¿Çâ°ú ÆÄ¿ö ¸ðµâ ½Ã½ºÅÛ¿¡ÀÇ
ÀÀ¿ë »ç·Ê
¹Ì¾²ºñ½ÃÀü±â(ÁÖ) À̸¶ÀÌÁî¹Ì ¸¶»çÀ¯Å°
- GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °³¹ß »óȲ°ú ¹Ì·¡ Àü¸Á
³ª°í¾ß ´ëÇÐ Ä«Áö Åä·ç
- »êȰ¥·ý(¥â-Ga2O3)ÀÇ °³¹ß µ¿Çâ°ú ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¿¡ÀÇ
ÀÀ¿ë Àü°³
(ÁÖ)³ëº§ Å©¸®½ºÅ» Å×Å©³î·ÎÁö »ç»çŰ °øÆò
- ´Ü°áÁ¤ ´ÙÀ̾Ƹóµå ¿þÀÌÆÛ¿¡ ´ëÇÑ ±â´ë¿Í Àü¸Á
(±¹¿¬) »ê¾÷ ±â¼ú Á¾ÇÕ ¿¬±¸¼Ò ¾ß¸¶´Ù È÷µ¥¾ÆÅ°
<Â÷Àç Å×Å©³î·ÎÁö ÃÖÀü¼±>
- PLD¹ý¿¡ ÀÇÇØ Á¦ÀÛÇÑ ÀÚ¼º Àç·áÀÇ ¹Ì¼¼ ±¸Á¶
Á¦¾î¿Í µð¹ÙÀ̽º ÀÀ¿ë
³ª°¡»çŰ ´ëÇÐ ³ªÄ«³ë ¸¶»çŰ
- ¾×ü ±Ý¼ÓÀ» ÀÌ¿ëÇÑ ½ºÆ®·¹Ã³ºí ¸®Æ¬ À̿ ¹èÅ͸®
°³¹ß
¿äÄÚÇϸ¶ ±¹¸³ ´ëÇÐ ¿ÀŸ À¯Å°
Title: Â÷Àç Technology: ±×¸° ¼ö¼ÒÀÇ Á¦Á¶ ±â¼ú°ú ÇâÈÄÀÇ Àü¸Á, °úÁ¦ & Â÷¼¼´ë ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ °³¹ß µ¿Çâ°ú µð¹ÙÀ̽º °³¹ß_23³â 6¿ùÈ£