강사
간사이가쿠인 대학 공학부 교수 Ph.D. 오타니 노보루 씨

강연 내용
[제1부] SiC 파워 반도체 개발 현황
1. SiC 파워 반도체 개발 배경
　1.1 환경·에너지 기술로서의 자리매김
　1.2 SiC 파워 반도체 개발이 가져오는 임팩트

2. SiC 파워 반도체 개발 역사
　2.1 SiC 파워 반도체 개발의 여명기
　2.2 SiC 단결정 성장과 에피택셜 성장의 브레이크스루

3. SiC 파워 반도체 개발 현황과 동향
　3.1 SiC 파워 반도체 시장
　3.2 SiC 파워 반도체 관련 학회 및 업계 동향
　3) SiC 파워 반도체 관련 최근 뉴스

4. SiC 단결정의 물성적 특징과 각종 디바이스 응용
　4.1 SiC 단결정이란?
　4.2 SiC 단결정의 물성과 특장점
　4.3 SiC 단결정의 각종 디바이스 응용

5. SiC 파워 디바이스의 최근 진전
　5.1 SiC 파워 디바이스의 특징
　5.2 SiC 파워 디바이스(SBD, MOSFET) 현황
　5.3 SiC 파워 디바이스의 시스템 응용

【제2부】SiC 단결정 웨이퍼 제조 프로세스의 현황과 전망
6. SiC 단결정 벌크 결정성장
　6.1 SiC 단결정 성장의 열역학
　6.2 승화 재결정법
　6.3 용액성장법
　6.4 고온 CVD법 (가스법)
　6.5 기타 성장법

7. SiC 단결정 웨이퍼 가공기술
　7.1 SiC 단결정 웨이퍼의 가공 프로세스
　7.2 SiC 단결정 절단기술
　7.3 SiC 단결정 웨이퍼 연마기술

8. SiC 단결정 웨이퍼 상으로의 SiC 에피택셜 박막 성장기술
　8.1 SiC 에피택셜 박막 성장기술 개요
　8.2 SiC 에피택셜 박막 성장장치 동향

【제3부】SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술 과제
9. SiC 단결정의 폴리타입 제어
　9.1 SiC 단결정의 폴리타입 현상
　9.2 각종 폴리타입의 특성
　9.3 SiC 단결정 성장에서의 폴리타입 제어

10.SiC단결정중의 확장결함
　10.1 각종 확장결함의 분류
　10.2 확장결함의 평가법

11. SiC 단결정의 웨이퍼 가공
　11.1 웨이퍼 가공의 기술 과제
　11.2 웨이퍼 가공 기술의 현황

12.SiC 에피택셜 박막 성장
　12.1 에피택셜 박막 성장의 기술 과제
　12.2 에피택셜 박막 성장기술의 현상

13. SiC 단결정 웨이퍼의 전기특성제어
　13.1 저저항률 SiC 단결정 웨이퍼의 필요성
　13.2 저저항률 SiC 단결정 웨이퍼의 기술 과제와 현황

14.SiC단결정 웨이퍼의 고품질화
　14.1 마이크로 파이프 결함의 감소
　14.2 관통 전위의 저감
　14.3 기저면 전위의 저감

15. 정리

[질의응답]

개최일시 : 2025년 4월 10일 10:30～16:30
개최장소 : Zoom를 이용한 Live 세미나
수강료(세금포함): 55,000엔