강사
(국연) 물질·재료 연구기구 전자·광기능재료 연구센터 주간연구원 박사(이학) 야마시타 요시유키씨

강연 내용
1. 레지스트
　1) 반도체 구조
　　(a)무어의 법칙
　　(b)스케일링 법칙
　　(c)평면 구조 FET 구조의 한계
　　(d)평면 구조 FET 구조 이후의 디바이스 구조
　　(e)Rapidus의 GAA구조
　　(f)GAA포크시트구조
　　(g)CFET 구조
　　(h)무어의 법칙과 반도체 구조
　　(i)디바이스 구조 추이 예상
　　(j)반도체 제조를 하는 회사 수 추이
　2) 레지스트와 리소그래피
　　(a) 레지스트 노광 광원의 추이
　　(b) 레지스트 노광과 critical dimension
　　(c)리소그래피의 스케일링 법칙
　　(d)현재의 리소그래피
　　（e）LELE（Litho-etch Litho-etch）
　　（f）SADP（Self Aligned Double Patterning）
　　(g)차세대 리소그래피 기술
　　(h)디바이스의 미소화에 필요한 것
　3) EUV와 메탈 레지스트
　　(a)회로 패턴에 필요한 것
　　(b)레일리식
　　(c)EUV 광원 주변 기술
　　(d)EUV 노광의 미라-
　　(e)왜 Mo/Si 다층막이 EUV 노광의 미러에 적합한가
　　(f)ASML사의 EUV 노광 장치
　　(g)라피더스가 납품한 ASML사의 NA0.33EUV 노광 장치
　　(h)ASML사의 NA0.55EUV 노광 장치
　　(i)high NA EUV에서 생기는 편광 문제를 어떻게 해결할 것인가
　　(j)high NAEUV에서 사용되는 거울
　　(k)high NAEUV 노광 과정의 동영상(ASML사 TWINACAN EXE:5000)
　　(l)high NA EUV 로드맵
　　(m)EUV 레지스트 측에서 필요한 것
　　(n)EUV 광흡수율의 원소의존성
　　(o)EUV 노광용 신규 레지스트의 필요성
　　(p)고감도 EUV 레지스트 재료에 요구되는 것
　　(q)메탈 레지스트
　　(r)화학 증폭형 유기 레지스트 및 메탈 레지스트
　　(s)메탈 레지스트의 EUV 노광에 대한 우위성
　　(t)메탈 레지스트 개발의 역사
　4)여담
　　(a)칩렛이란
　　(b)팬더리란
　　(c)NA와는
　　(d) 레지스트의 트레이드오프

2. 메탈 레지스트
　1) 메탈 레지스트의 기초 물성
　　(a)무기 레지스트 재료
　　(b)원소의 광학 농도 값
　　(c)재료 설계를 고려할 때 중요한 EUV 광에 의한 흡수율 원소 의존성
　　(d)EUV 빛에 의해 흡수되는 원소의 궤도
　2)각 회사가 개발한 금속 레지스트
　　(a)Inpria의 메탈 레지스트 제작의 역사
　　(b)Inpria의 메탈 레지스트 종류
　　(c)코넬 대학의 금속 레지스트 제작의 역사
　　(d)코넬 대학교의 금속 레지스트 종류
　　(e)EIDEC의 메탈 레지스트 제작의 역사
　　(f)EIDEC의 메탈 레지스트 종류
　　(g)SUNY Polytechnic Institute의 역사 및 종류
　　(h)드라이 메탈 레지스트(Lam research)
　　(i)드라이 메탈 레지스트의 이점

3. 메탈 레지스트의 EUV 노광에 의한 반응 기구의 해석 및 대기 안정생
　　소생의 연구를 바탕으로
　1) 메탈 레지스트의 EUV 노광에 의한 반응 기구
　　(a)XRD에 의한 EUV 노광에 의한 구조 변화 해명
　　(b)광전자 분광에 의한 EUV 노광에 의한 반응 원소 해명
　　(c)X선 흡수 분광법에 의한 EUV 노광에 의한 반응 화학 결합 해명
　2) 메탈 레지스트 대기안정생
　　(a)광전자 분광에 의한 메탈 레지스트 대기 노출 하에서의 화학 상태
　　(b)X선 흡수 분광법에 의한 메탈 레지스트 대기 노출 하에서의 반응 결합종 해명
　　(c)광전자 분광에 의한 EUV 노광한 메탈 레지스트의 대기 노출 하에서의 화학 상태
　　(d)X선 흡수 분광법에 의한 메탈 레지스트 대기 노출 하에서의 반응 결합종 해명

질의 응답

개최일시 : 2025년 4월 17일 13:00～15:30
개최장소 : Zoom를 이용한 Live 세미나 또는 아카이브
수강료(세금포함): 41,800엔