세미나문의: 02 703 5000    

 

 

미스트 CVD 기술의 개발과 향후의 가능성

 

 

● 개최일: 2020-02-28  ● 장소: 도쿄 · 시나가와 구  ●개최사: STC 社  ●참가비: ¥ 44,000 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
高知工科大学 시스템 공학군 교수 川原村 敏幸 氏

취지
대기압 하에서 넓은 지역에 걸쳐 고 품질 기능막을 형성하는 기술로 개발해온 미스트 CVD에 대해 경위, 역사, 제작 필름의 특성, 장치, 미스트 CVD에 관한 물리적 차세대를 향한 개발 방향성 등 자세히 설명합니다.

강연 내용
제1부 미스트 CVD 기술의 개발 초기
1. 머리말
1.1 소개
1.2 高知工科大学대해
1.3 高知工科大学 종합연구소 소개
2. 기능막 제조 기술의 현황과 앞으로의 개발 포인트
2.1 어떤 물건에 이용되고 있는지
2.2 그것들을 제작하는 시스템의 크기와 비용에 대해
2.3 에너지 절약 프로세스의 필요성과 그것이 달성되지 않는 이유
2.4 대기압 하에서 대상으로하는 기능막을 형성하기 위한 포인트
3. 미스트를 이용한 기능막 형성 기술 "미스트 CVD"의 특징
3.1 미스트 법이란
3.2 기존의 성막 방법에 대한 미스트 CVD 법의 입장
3.3 초음파 분무를 이용한 기능막 형성 기술의 역사
4. 원료 공급 수단에 초음파 분무를 사용하는 이점
4.1 각종 방울의 발생 법
4.2 일반 환경에서 박막을 형성하는데 적합한 액적 발생 법이란
5. 미스트 흐름을 이용한 기능막 제작 시스템의 장비군
5.1 미스트 흐름을 이용한 기능막 제작 시스템
5.2 원료 공급기
5.3 증착 반응기 주위의 기본 시스템
6. 미스트 CVD의 물리 1
6.1 균질 막을 제작하기 위한 3가지 방법
6.2 방울 라이덴 프로스트 상태

제2부 미스트 CVD 기술의 응용과 발전
7. 파인채널 (FC) 시스템 vs 핫 벽 (HW) 시스템
7.1 해석 구조 조건
7.2 결과
8. 미스트 CVD로 제작 가능한 기능막
8.1 지금까지 형성할 수 있는 박막 종
8.2 산화 아연계 (ZnO)
8.3 산화 갈륨계 (Ga2O3)
8.4 산화 알루미늄 (AlOx)
8.5 산화 인듐 갈륨 아연 (IGZO)
8.6 유기막
8.7 층상 황화 몰리브덴 (MoS 2)
8.8 기타
9. 미스트 CVD로 제작 한 장치
9.1 대기압 수법에 의해 형성된 산화물 TFT의 현상
9.2 미스트 CVD 방법을 통해 IGZO TFT의 제작
9.3 특성 및 최적화
9.4 기타 장치 (IGZO, Ga2O3, SnO2 MESFET, Organic SC 등)
10. 미스트 CVD에 의한 양자 소자의 제작과 그 특징
10.1 대기압 하에서 양자 우물이 형성 이유
10.2 제작한 양자 우물의 특징
11. 미스트 CVD 물리 2
11.1 미스트끼리 충돌하지 않는
11.2 복합 반응의 억제
11.3 조성 제어 기술
12. 미스트 CVD의 물리적 3
12.1 반응기 내에서의 안개 방울의 거동
12.3 미스트 흐름을 이용한 증착 공정의 반응 메커니즘
13. 정리
13.1 미스트 CVD와 앞으로의 미스트 CVD
13.2 미스트 CVD 다른 가능성
□ 질의 응답 · 명함 교환 □

개최일시 : 2020년 2월 28일(금)12:30~16:30
개최장소 : 도쿄·시나가와 구 오이 마치 키유리아은 5층 제 1강습실
회장지도
수강료(세금포함) : 44,000엔

 

 

 

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