¼¼¹Ì³ª¹®ÀÇ: 02 703 5000    

 

 

½Ç¸®ÄÜ ¹× SiC/ GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çö»ó¡¤°úÁ¦¡¤Àü¸Á

 

 

¡Ü °³ÃÖÀÏ: 2019-12-25  ¡Ü Àå¼Ò: ÄÚÅ䱸 ¹®È­ ¼¾ÅÍ  ¡Ü°³ÃÖ»ç: RDS Þä  ¡ÜÂü°¡ºñ: ¡Í 55,000 (ÀڷḸ½Åû/Âü°¡½Åû)

   ÁøÇà ³»¿ë

°­»ç
±¹¸³´ëÇÐ ¹ýÀÎ Ã÷Äí¹Ù´ëÇÐ ¼ö¸® ¹°Áú°è ±³¼ö¡¤¹Ú»ç(°øÇÐ) äÛãø ³ë¸®À¯Å°¾¾

½ÀµæÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Áö½Ä
1. ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽбâ¼ú µ¿Çâ
2. SiC / GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡°ú °úÁ¦
3. SiC µð¹ÙÀ̽º ½ÇÀå ±â¼ú
4. SiC µð¹ÙÀ̽º ƯÀ¯ÀÇ ¼³°è, ÇÁ·Î¼¼½º ±â¼ú
5. SiC ¹× GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÇâÈÄÀÇ Àü¸Á

ÃëÁö
2017~18³âÀº, Àü±â ÀÚµ¿Â÷(EV)ÀÇ °³¹ßÀ» ÇâÇØ Å©°Ô ÁøÀüÇÏ´Â ÇØ°¡ µÇ¾ú´Ù.¼¼°è ÃÖ´ëÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀåÀÎ Áß±¹À» ½ÃÀÛÇØ À¯·´Àº ÇÏÀ̺긮µå Â÷, EV½ÃÇÁÆ® µî Â÷ÀÇ Àüµ¿È­ °³¹ß¿¡ ۸¦ Àß¶ú´Ù.ÀϺ», ¹Ì±¹À» ¸»·Á µé°Ô ÇØ ¼¼°è Àüü·Î Â÷ÀÇ Àüµ¿È­ °³¹ßÀÌ µåµð¾î º»°ÝÈ­ÇÑ ÇØ°¡ µÇ¾ú´Ù.EV,HEVÀÇ ¼º´ÉÀ» °áÁ¤ÇÏ´Â ±â°£ ºÎǰÀÎ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¿¡¼­´Â, ½Å Àç·á SiC/GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ º¸±ÞÀÌ ¸¹ÀÌ ±â´ëµÇ°í ÀÖ´Ù.±×·¸Áö¸¸ ÇöÀç »óÅ·μ­´Â, ¼º´É, ½Å·Ú¼º, ¶Ç °¡°ÝÀÇ ¸é¿¡¼­ ½ÃÀåÀÇ ¿ä±¸¿¡ ÃæºÐÈ÷ ÀÀÇÒ ¼ö ÀÖ°í ÀÖ´Ù°í´Â ¸»ÇÒ ¼ö ¾ø´Ù.
º» ¼¼¹Ì³ª¿¡¼­´Â, ÃֽŠ½Ç¸®ÄÜ IGBT µð¹ÙÀ̽ºÀÇ »óȲÀ¸·ÎºÎÅÍ SiC¡¤GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽбâ¼ú, °Ô´Ù°¡ ÃÖ½ÅÀÇ ½ÇÀå ±â¼ú¿¡ °üÇÏ¿©µµ ÇØ¼³ÇÑ´Ù.ƯÈ÷ SiC/GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¸¦ ³Ð°Ô ½ÃÀå¿¡ º¸±ÞÇϱâ À§ÇÑ Æ÷ÀÎÆ®´Â ¹«¾ð°¡¿¡ ´ëÇØ Á¤ÁßÇÏ°Ô ÇØ¼³ÇÏ°í ½Í´Ù.

ÇÁ·Î±×·¥
1.Àü·Â¿ë ÀüÀÚ°øÇÐÀ̶õ?
 ¡¡1-1 ÆÄ¿Í¿¡·¹&ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÏ
 ¡¡1-2 ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¾·ù¿Í ±âº» ±¸Á¶
 ¡¡1-3 ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Àû¿ë ºÐ¾ß
 ¡¡1-4 °íÁÖÆÄ µ¿ÀÛÀÇ ¸Þ¸®Æ®´Â?
 ¡¡1-5 ½Ç¸®ÄÜ MOSFET¡¤IGBT¸¸ÀÌ »ì¾Æ ³²¾Ò´Ù.¿Ö?
 ¡¡1-6 ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º °³¹ßÀÇ Æ÷ÀÎÆ®´Â ¹«¾ùÀΰ¡?
2.ÃֽŠ½Ç¸®ÄÜ IGBTÀÇ ÁøÀü°ú °úÁ¦
 ¡¡2-1 IGBT °³¹ßÀÇ Æ÷ÀÎÆ®
 ¡¡2-2 IGBT Ư¼º Çâ»ó¿¡ÀÇ µµÀü
 ¡¡2-3 ¹Ú¿þÀÌÆÛ ÇÊµå ½ºÅé(FS) Çü IGBTÀÇ Åº»ý
 ¡¡2-4 IGBT Ư¼º °³¼±À» ÁöÁöÇÏ´Â ±â¼ú
 ¡¡2-5 ¹Ú¿þÀÌÆÛÈ­ÀÇ ÇѰè
 ¡¡2-6 ÃÖ½ÅÀÇ IGBT ±â¼ú£º¾ÆÁ÷µµ Ư¼º °³¼±ÀÌ ÁøÇàµÇ´Â IGBT
3.SiC ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çö»ó°ú °úÁ¦
 ¡¡3-1 ¹ÝµµÃ¼ µð¹ÙÀ̽º Àç·áÀÇ º¯Ãµ
 ¡¡3-2 ¿ÍÀÌµå ¹êµå °¸ ¹ÝµµÃ¼¶õ?
 ¡¡3-3 SiCÀÇ Si¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÁ¡
 ¡¡3-4 °¢ »ç SiC-MOSFET¸¦ °³¹ß.¿Ö SiC-IGBT´Â ¾Æ´Ñ °ÍÀÎÁö?
 ¡¡3-5 SiC ¿þÀÌÆÛ°¡ »ý±æ ¶§±îÁö
 ¡¡3-6 SiC-´ÙÀÌ¿Àµå ±×¸®°í SiC-MOSFET °³¹ß¿¡
 ¡¡3-7 ž籤 PCS¿¡ »ç¿ëµÈ SiC-MOSFET
 ¡¡3-8 ¿Ö SiC-MOSFET°¡ EV,PHV¿¡ ÀûÀýÇϰí ÀÖ´ÂÁö?
 ¡¡3-9 SiCÀÇ µð¹ÙÀ̽º ÇÁ·Î¼¼½º
 ¡¡3-10 SiC µð¹ÙÀ̽º ½Å·Ú¼ºÀÇ Æ÷ÀÎÆ®
 ¡¡3-11 ÃֽŠSiC À¯Àû ¹ß±¼±â MOSFET
4.GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çö»ó°ú °úÁ¦
 ¡¡4-1 ¿Ö GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀΰ¡?
 ¡¡4-2 GaN µð¹ÙÀ̽º ±¸Á¶´Â¡±È¾ÇüGaN on Si¡±°¡ ÁÖ·ù.¿Ö GaN on GaN´Â ¾Æ´Ñ °ÍÀÎÁö?
 ¡¡4-3 GaN-HEMT µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡
 ¡¡4-4 GaN-HEMTÀÇ ³ë¸Å¸®-¿ÀÇÁÈ­
 ¡¡4-5 GaN-HEMTÀÇ °úÁ¦
 ¡¡4-6 Current Collapse Çö»ó ¸ÞÄ«´ÏÁò
 ¡¡4-7 GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °­Á¡, ±×¸®°í ¾àÁ¡Àº ¹«¾ùÀΰ¡
 ¡¡4-8 ¼¼·ÎƲ GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽе¿Çâ
5.°í¿Â ´ëÀÀ ½ÇÀå ±â¼ú
 ¡¡5-1 °í¿Â µ¿ÀÛÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸é ¹«¾ùÀÌ ÁÁÀº °ÍÀΰ¡
 ¡¡5-2 SiC-MOSFET ¸ðµâ¿ë ÆÐŰÁö
 ¡¡5-3 ´õ¿í ´õ Á߿䵵¸¦ ´õÇÏ´Â SiC-MOSFET ¸ðµâ °³¹ß
6.Á¤¸®
¡¼ÁúÀÇÀÀ´ä¡¤¸íÇÔ ±³È¯¡½

°³ÃÖÀϽà : 2019³â 12¿ù 25ÀÏ(¼ö)10:30~16:30
°³ÃÖÀå¼Ò :
ÄÚÅ䱸 ¹®È­ ¼¾ÅÍ¡¡3F¡¡Á¦1 ¿¬¼ö½Ç
¼ö°­·á(¼¼±ÝÆ÷ÇÔ) : 55,000¿£

 

 

°æ¹Ú´Ü¼ÒÈ­¿¡ÀÇ ½Å±â¼ú :½ÅÁ¦...

50% ÇÒÀι®ÀÇ
info@oic.co.kr


[¼¼¹Ì³ª]
 
   
 
 
[º¸°í¼­ ºÐ¾ß]
Åë½Å
ÀüÀÚ
Áß°ø¾÷
Á¦¾à
È­ÇÐ
ÀÇÇÐ
ȯ°æ
½Äǰ
¹æÀ§»ê¾÷
±âŸ
 

 

Copyright¨Ï2012 Overseas Information Center All Rights Reserved.
                                E_mail : info@oic.co.kr