°»ç ±¹¸³´ëÇÐ ¹ýÀÎ Ã÷Äí¹Ù´ëÇÐ ¼ö¸® ¹°Áú°è ±³¼ö¡¤¹Ú»ç(°øÇÐ) äÛãø ³ë¸®À¯Å°¾¾
½ÀµæÇÒ ¼ö ÀÖ´Â Áö½Ä 1. ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽбâ¼ú µ¿Çâ 2. SiC / GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡°ú °úÁ¦ 3. SiC µð¹ÙÀ̽º ½ÇÀå ±â¼ú 4. SiC µð¹ÙÀ̽º ƯÀ¯ÀÇ ¼³°è, ÇÁ·Î¼¼½º ±â¼ú 5. SiC ¹× GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÇâÈÄÀÇ Àü¸Á
ÃëÁö 2017~18³âÀº, Àü±â ÀÚµ¿Â÷(EV)ÀÇ °³¹ßÀ» ÇâÇØ Å©°Ô ÁøÀüÇÏ´Â ÇØ°¡ µÇ¾ú´Ù.¼¼°è ÃÖ´ëÀÇ ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀåÀÎ Áß±¹À» ½ÃÀÛÇØ À¯·´Àº ÇÏÀ̺긮µå Â÷, EV½ÃÇÁÆ® µî Â÷ÀÇ Àüµ¿È °³¹ß¿¡ ۸¦ Àß¶ú´Ù.ÀϺ», ¹Ì±¹À» ¸»·Á µé°Ô ÇØ ¼¼°è Àüü·Î Â÷ÀÇ Àüµ¿È °³¹ßÀÌ µåµð¾î º»°ÝÈÇÑ ÇØ°¡ µÇ¾ú´Ù.EV,HEVÀÇ ¼º´ÉÀ» °áÁ¤ÇÏ´Â ±â°£ ºÎǰÀÎ ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¿¡¼´Â, ½Å Àç·á SiC/GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ º¸±ÞÀÌ ¸¹ÀÌ ±â´ëµÇ°í ÀÖ´Ù.±×·¸Áö¸¸ ÇöÀç »óÅ·μ´Â, ¼º´É, ½Å·Ú¼º, ¶Ç °¡°ÝÀÇ ¸é¿¡¼ ½ÃÀåÀÇ ¿ä±¸¿¡ ÃæºÐÈ÷ ÀÀÇÒ ¼ö ÀÖ°í ÀÖ´Ù°í´Â ¸»ÇÒ ¼ö ¾ø´Ù. º» ¼¼¹Ì³ª¿¡¼´Â, ÃֽŠ½Ç¸®ÄÜ IGBT µð¹ÙÀ̽ºÀÇ »óȲÀ¸·ÎºÎÅÍ SiC¡¤GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽбâ¼ú, °Ô´Ù°¡ ÃÖ½ÅÀÇ ½ÇÀå ±â¼ú¿¡ °üÇÏ¿©µµ ÇØ¼³ÇÑ´Ù.ƯÈ÷ SiC/GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º¸¦ ³Ð°Ô ½ÃÀå¿¡ º¸±ÞÇϱâ À§ÇÑ Æ÷ÀÎÆ®´Â ¹«¾ð°¡¿¡ ´ëÇØ Á¤ÁßÇÏ°Ô ÇØ¼³ÇÏ°í ½Í´Ù.
ÇÁ·Î±×·¥ 1.Àü·Â¿ë ÀüÀÚ°øÇÐÀ̶õ? ¡¡1-1 ÆÄ¿Í¿¡·¹&ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ ÀÏ ¡¡1-2 ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ÀÇ Á¾·ù¿Í ±âº» ±¸Á¶ ¡¡1-3 ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Àû¿ë ºÐ¾ß ¡¡1-4 °íÁÖÆÄ µ¿ÀÛÀÇ ¸Þ¸®Æ®´Â? ¡¡1-5 ½Ç¸®ÄÜ MOSFET¡¤IGBT¸¸ÀÌ »ì¾Æ ³²¾Ò´Ù.¿Ö? ¡¡1-6 ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽º °³¹ßÀÇ Æ÷ÀÎÆ®´Â ¹«¾ùÀΰ¡? 2.ÃֽŠ½Ç¸®ÄÜ IGBTÀÇ ÁøÀü°ú °úÁ¦ ¡¡2-1 IGBT °³¹ßÀÇ Æ÷ÀÎÆ® ¡¡2-2 IGBT Ư¼º Çâ»ó¿¡ÀÇ µµÀü ¡¡2-3 ¹Ú¿þÀÌÆÛ ÇÊµå ½ºÅé(FS) Çü IGBTÀÇ Åº»ý ¡¡2-4 IGBT Ư¼º °³¼±À» ÁöÁöÇÏ´Â ±â¼ú ¡¡2-5 ¹Ú¿þÀÌÆÛÈÀÇ ÇÑ°è ¡¡2-6 ÃÖ½ÅÀÇ IGBT ±â¼ú£º¾ÆÁ÷µµ Ư¼º °³¼±ÀÌ ÁøÇàµÇ´Â IGBT 3.SiC ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çö»ó°ú °úÁ¦ ¡¡3-1 ¹ÝµµÃ¼ µð¹ÙÀ̽º Àç·áÀÇ º¯Ãµ ¡¡3-2 ¿ÍÀÌµå ¹êµå °¸ ¹ÝµµÃ¼¶õ? ¡¡3-3 SiCÀÇ Si¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÁ¡ ¡¡3-4 °¢ »ç SiC-MOSFET¸¦ °³¹ß.¿Ö SiC-IGBT´Â ¾Æ´Ñ °ÍÀÎÁö? ¡¡3-5 SiC ¿þÀÌÆÛ°¡ »ý±æ ¶§±îÁö ¡¡3-6 SiC-´ÙÀÌ¿Àµå ±×¸®°í SiC-MOSFET °³¹ß¿¡ ¡¡3-7 ž籤 PCS¿¡ »ç¿ëµÈ SiC-MOSFET ¡¡3-8 ¿Ö SiC-MOSFET°¡ EV,PHV¿¡ ÀûÀýÇϰí ÀÖ´ÂÁö? ¡¡3-9 SiCÀÇ µð¹ÙÀ̽º ÇÁ·Î¼¼½º ¡¡3-10 SiC µð¹ÙÀ̽º ½Å·Ú¼ºÀÇ Æ÷ÀÎÆ® ¡¡3-11 ÃֽŠSiC À¯Àû ¹ß±¼±â MOSFET 4.GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Çö»ó°ú °úÁ¦ ¡¡4-1 ¿Ö GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀΰ¡? ¡¡4-2 GaN µð¹ÙÀ̽º ±¸Á¶´Â¡±È¾ÇüGaN on Si¡±°¡ ÁÖ·ù.¿Ö GaN on GaN´Â ¾Æ´Ñ °ÍÀÎÁö? ¡¡4-3 GaN-HEMT µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Æ¯Â¡ ¡¡4-4 GaN-HEMTÀÇ ³ë¸Å¸®-¿ÀÇÁÈ ¡¡4-5 GaN-HEMTÀÇ °úÁ¦ ¡¡4-6 Current Collapse Çö»ó ¸ÞÄ«´ÏÁò ¡¡4-7 GaN ÆÄ¿ö µð¹ÙÀ̽ºÀÇ °Á¡, ±×¸®°í ¾àÁ¡Àº ¹«¾ùÀΰ¡ ¡¡4-8 ¼¼·ÎƲ GaN µð¹ÙÀ̽ºÀÇ Ãֽе¿Çâ 5.°í¿Â ´ëÀÀ ½ÇÀå ±â¼ú ¡¡5-1 °í¿Â µ¿ÀÛÀ» ÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸é ¹«¾ùÀÌ ÁÁÀº °ÍÀΰ¡ ¡¡5-2 SiC-MOSFET ¸ðµâ¿ë ÆÐŰÁö ¡¡5-3 ´õ¿í ´õ Á߿䵵¸¦ ´õÇÏ´Â SiC-MOSFET ¸ðµâ °³¹ß 6.Á¤¸® ¡¼ÁúÀÇÀÀ´ä¡¤¸íÇÔ ±³È¯¡½
-
°³ÃÖÀϽà : 2019³â 12¿ù 25ÀÏ(¼ö)10:30~16:30 °³ÃÖÀå¼Ò : ÄÚÅ䱸 ¹®È ¼¾ÅÍ¡¡3F¡¡Á¦1 ¿¬¼ö½Ç ¼ö°·á(¼¼±ÝÆ÷ÇÔ) : 55,000¿£ |