세미나문의: 02 703 5000    

 

 

실리콘 및 SiC/ GaN 파워 디바이스의 현상·과제·전망

 

 

● 개최일: 2019-12-25  ● 장소: 코토구 문화 센터  ●개최사: RDS 社  ●참가비: ¥ 55,000 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
국립대학 법인 츠쿠바대학 수리 물질계 교수·박사(공학) 岩室 노리유키씨

습득할 수 있는 지식
1. 파워 디바이스의 최신 기술 동향
2. SiC / GaN 파워 디바이스의 특징과 과제
3. SiC 디바이스 실장 기술
4. SiC 디바이스 특유의 설계, 프로세스 기술
5. SiC 및 GaN 파워 디바이스의 향후의 전망

취지
2017~18년은, 전기 자동차(EV)의 개발을 향해 크게 진전하는 해가 되었다.세계 최대의 자동차 시장인 중국을 시작해 유럽은 하이브리드 차, EV시프트 등 차의 전동화 개발에 키를 잘랐다.일본, 미국을 말려 들게 해 세계 전체로 차의 전동화 개발이 드디어 본격화한 해가 되었다.EV,HEV의 성능을 결정하는 기간 부품인 파워 디바이스에서는, 신 재료 SiC/GaN 디바이스의 보급이 많이 기대되고 있다.그렇지만 현재 상태로서는, 성능, 신뢰성, 또 가격의 면에서 시장의 요구에 충분히 응할 수 있고 있다고는 말할 수 없다.
본 세미나에서는, 최신 실리콘 IGBT 디바이스의 상황으로부터 SiC·GaN 파워 디바이스의 최신 기술, 게다가 최신의 실장 기술에 관하여도 해설한다.특히 SiC/GaN 파워 디바이스를 넓게 시장에 보급하기 위한 포인트는 무언가에 대해 정중하게 해설하고 싶다.

프로그램
1.전력용 전자공학이란?
  1-1 파와에레&파워 디바이스의 일
  1-2 파워 반도체의 종류와 기본 구조
  1-3 파워 디바이스의 적용 분야
  1-4 고주파 동작의 메리트는?
  1-5 실리콘 MOSFET·IGBT만이 살아 남았다.왜?
  1-6 파워 디바이스 개발의 포인트는 무엇인가?
2.최신 실리콘 IGBT의 진전과 과제
  2-1 IGBT 개발의 포인트
  2-2 IGBT 특성 향상에의 도전
  2-3 박웨이퍼 필드 스톱(FS) 형 IGBT의 탄생
  2-4 IGBT 특성 개선을 지지하는 기술
  2-5 박웨이퍼화의 한계
  2-6 최신의 IGBT 기술:아직도 특성 개선이 진행되는 IGBT
3.SiC 파워 디바이스의 현상과 과제
  3-1 반도체 디바이스 재료의 변천
  3-2 와이드 밴드 갭 반도체란?
  3-3 SiC의 Si에 대한 이점
  3-4 각 사 SiC-MOSFET를 개발.왜 SiC-IGBT는 아닌 것인지?
  3-5 SiC 웨이퍼가 생길 때까지
  3-6 SiC-다이오드 그리고 SiC-MOSFET 개발에
  3-7 태양광 PCS에 사용된 SiC-MOSFET
  3-8 왜 SiC-MOSFET가 EV,PHV에 적절하고 있는지?
  3-9 SiC의 디바이스 프로세스
  3-10 SiC 디바이스 신뢰성의 포인트
  3-11 최신 SiC 유적 발굴기 MOSFET
4.GaN 파워 디바이스의 현상과 과제
  4-1 왜 GaN 파워 디바이스인가?
  4-2 GaN 디바이스 구조는”횡형GaN on Si”가 주류.왜 GaN on GaN는 아닌 것인지?
  4-3 GaN-HEMT 디바이스의 특징
  4-4 GaN-HEMT의 노매리-오프화
  4-5 GaN-HEMT의 과제
  4-6 Current Collapse 현상 메카니즘
  4-7 GaN 파워 디바이스의 강점, 그리고 약점은 무엇인가
  4-8 세로틀 GaN 디바이스의 최신 동향
5.고온 대응 실장 기술
  5-1 고온 동작을 할 수 있으면 무엇이 좋은 것인가
  5-2 SiC-MOSFET 모듈용 패키지
  5-3 더욱 더 중요도를 더하는 SiC-MOSFET 모듈 개발
6.정리
【질의응답·명함 교환】

개최일시 : 2019년 12월 25일(수)10:30~16:30
개최장소 :
코토구 문화 센터 3F 제1 연수실
수강료(세금포함) : 55,000엔

 

 

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