세미나문의: 02 703 5000    

 

 

드라이 에칭 기술의 기초와 플라스마 · 표면 반응의 제어

 

 

● 개최일: 2019-10-02  ● 장소: 도쿄 · 오타구  ●개최사: STC 社  ●참가비: ¥ 44,000 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
나노 테크 리서치 대표 노지리 카즈오씨  

취지
드라이 에칭 기술은 반도체 디바이스의 미세화·고집 적화를 실현하기 위한 핵심 기술입니다. 그러나 플라즈마를 이용한 물리 화학 반응으로 부식이 진행되어 전기 물리 화학의 종합적인 지식을 필요로 하고 챔버 내에서 벌어지고 있는 현상이 복잡해서 이해를 어렵게 하고 있습니다. 특히 반도체 재료 제조 업체의 엔지니어들이 자신들의 기술과의 관련에서 드라이 에칭을 이해하는 것은 극히 어려운 상황입니다.
본 세미나에서는 드라이 에칭의 메카니즘, 각종 재료의 부식 및 드라이 에칭 장치에 대해서 알기 쉽게 해설합니다. 세미나에서는 우선 드라이 에칭의 기초부터 시작하고 극력 수식을 사용하지 않고 드라이 에칭의 메커니즘이 쉽게 이해할 수 있도록 해설합니다. 각종 재료의 에칭에서는 단순한 각론에 머무르지 않고, 에칭을 지배하는 파라미터와 그 제어 방법에 대하여 상세히 해설합니다. 여기에서는 플라즈마로 피막 표면에 입사 종과 부식 속도 선택보다 형상의 상관 관계 및 이들 가공 특성 제어 방식에 대해서 해설합니다. 또 반도체 제조에 실제로 사용되고 있는 각종 드라이 에칭 장치에 관한, 플라즈마 발생 원리와 특징에 대해서 해설하는 동시에 프로세스를 제어하는 데 중요한 역할을 맡고 있는 정전 척에 대해서도 해설합니다.
본 세미나는 오랫동안 반도체 제조 현장에 가까운 곳에서 일을 하던 강사의 체험에 근거하고 있으므로, 실천적으로 밀도 짙은 내용이 되어 있어 입문으로서 또한 드라이 에칭의 프로를 꿈꾸시는 분에도 최적인 강좌가 되고 있습니다. 또 반도체 재료 제조 업체의 엔지니어들이 드라이 에칭의 전체상을 이해하고, 또 자신들의 기술이 어떻게 쓰이고 있는지를 이해하는 데도 도움이 되는 세미나입니다.

강연 내용
<얻을 수 있는 지식·기술>
·드라이 에칭의 메커니즘에서 응용까지 어려운 수식을 쓰지 않고 전 모를 이해할 수 있다.
·드라이 에칭을 지배하는 파라미터와 그 제어 법을 알고 부식 과정을 조립하는 데 지침을 얻을 수 있다.
·반도체 생산에서 실제로 사용되고 있는 드라이 에칭 프로세스와 장치에 대해서 배울 수 있고 실천적인 지식이 몸에 붙는다.
<프로그램>
1. 초~반도체 집적 회로의 발전과 드라이 에칭 기술~
1.1 드라이 에칭의 개요
1.2 LSI의 고집 적화에 드라이 에칭 기술의 역할
2. 드라이 에칭의 메커니즘
2.1 플라즈마의 기초
2.2 드라이 에칭의 반응 과정
2.3 비등방성 부식침 부식 메커니즘
2.4 에칭 속도
3. 각종 재료의 에칭
3.1 게이트 에칭
3.1.1 선택비를 지배하는 매개 변수
3.1.2 CD의 웨이퍼 면내 균일성 제어
3.1.3 Poly-Si, WSi2/Poly-S, W/Poly-Si게이트 에칭
3.2 SiO2에칭
3.2.1 SiO2부식침 부식 메커니즘
3.2.2 선택비를 지배하는 매개 변수
3.2.3 형상 제어
3.2.4 고 가로 세로비 홀 에칭, SAC에칭
3.3 배선 에칭
3.3.1 Al배선 에칭
3.3.2 Al배선의 부식 방지 처리 기술
3.3.3 그 다른 배선 재료의 에칭
4. 드라이 에칭 장치
4.1 CCP플라스마 엣 차
4.2 자전관 RIE
4.3 ECR플라스마 엣 차
4.4 ICP플라스마 엣 차
4.5 정전
Chuck
□ 질의 응답, 명함 교환 □

개최일시 : 2019년 10월 2일 (수) 13 : 00 ~ 16 : 30
개최장소 : 도쿄 · 오타구 헤이와 지마 도쿄 유통 센터 2F 제 1 의실
회장지도
수강료 (세금포함) : 44,000엔

 

 

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