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자동차의 전동화를 위한 SiC 파워 디바이스 · GaN 파워 디바이스 개발 최신 상황과 향후 동향

 

 

● 개최일: 2019-07-24  ● 장소: 도쿄·시나가와 구  ●개최사: STC 社  ●참가비: ¥ 48,600 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
츠쿠바 대학 수리 물질계 교수 岩室 노리유키씨

취지
최근에는 전기 자동차(EV)의 개발을 위한 크게 진전할 나이다.세계 최대 자동차 시장인 중국을 비롯한 유럽은 하이브리드 차를 뛰어넘어 EV 전환으로 선회했다.일본, 미국을 휩쓸고 세계 전체에서 EV 개발이 드디어 본격화되고 있다.
EV의 성능을 결정하는 기간 부품인 파워 디바이스에서는, 신 재료 SiC/GaN 기기의 보급이 매우 기대되고 있다.그러나 현실에서는 성능, 신뢰성, 또 가격 면에서 시장의 요구에 충분히 부응되는 것은 아니다.
최강의 경쟁 상대인 실리콘 IGBT에서 SiC/GaN 개발 기술의 현황과 향후 동향에 대해서 시장 예측을 포함하게 해설한다.

강연 내용
< 얻을 수 있는 지식, 기술>
과거 30년 파워 디바이스 개발의 흐름과 파워 디바이스의 최신 기술 동향.Si-IGBT의 강점, SiC/GaN 파워 디바이스의 특징과 과제.파워 반도체 및 SiC/GaN 시장 예측.SiC장치 설치 기술.SiC장치 특유의 설계 프로세스 기술 등.
<프로그램>
1. 파워 일렉트로닉스는?
1.1 파와에레&파워 디바이스의 일
1.2 파워 반도체의 종류와 기본 구조
1.3 파워 디바이스의 적용 분야
1.4 고주파 화의 메리트
1.5 Si-MOSFET·IGBT의 신장
1.6 파워 디바이스 개발의 포인트
2. 최신 실리콘 파워 디바이스(Si-IGBT)의 진전과 과제
2.1 파워 디바이스 시장의 현재와 장래
2.2 IGBT 개발의 포인트
2.3 IGBT 특성 개선을 지탱하는 기술
2.4 얇은 웨이퍼화의 한계
2.5 IGBT 특성 개선의 다음 수
2.6 새로운 컨셉의 IGBT(RC-IGBT)개발
3. SiC파워 디바이스의 현황과 과제
3.1 반 도체 디바이스 재료의 변천
3.2 와이드 밴드 갭 반도체는?
3.3 SiC의 Si에 대한 이점
3.4
SiC-IGBT 대신 SiC-MOSFET을 개발하는 이유는 무엇입니까?
3.5 SiC/GaN 파워 디바이스의 시장 예측
3.6 SiC 웨이퍼가 될 때까지
3.7 SiC-SBD 그리고 SiC-MOSFET 개발
3.8 최근의 SiC-MOSFET 테마
3.9 SiC의 디바이스 프로세스(Si파워 디바이스와 무엇이 다른지)
3.10 SiC 기기 신뢰성 향상의 포인트
3.11 SiC-MOSFET 내장 다이오드의 Vf열화는?
3.12 SBD 내장 SiC 트렌치 MOSFET
4. GaN 파워 디바이스의 현황과 과제
4.1 왜 GaN 파워 디바이스인가?
4.2 GaN 기기의 구조
4.3 SiC와 GaN 장치의 노리는 시장
4.4 GaN-HEMT 기기의 특징
4.5 노멀 오프 특성
4.6 GaN-HEMT의 노 마리-오프화
4.7 GaN-HEMT의 과제
4.8 GaN파워 디바이스의 약점은 뭔가
4.9 세로형 GaN장치의 최신 동향
4.10 세로형 SiC.vs. 세로형 GaN의 행방
5. 고온 대응 실장 기술
5.1 고온 동작이 가능하다고 뭐가 좋을까
5.2 SiC-MOSFET모듈용 패키지
5.3 파워 디바이스의 동작 패턴
5.4 파워 디바이스 동작 중의 소자 파괴 사례
5.5 신뢰성 설계와 시뮬레이션의 활용
6. 정리
□ 질의 응답, 명함 교환 □

개최일시 : 2019년 7월 24일(수) 10:30~16:30
개최장소 : 도쿄·시나가와 구 오이 마치 키유리아은 5F 제4강의실
회장 지도
수강료(세금포함) : 48,600엔

 

 

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