세미나문의: 02 703 5000    

 

 

드라이 에칭의 최신 기술 동향과 플라스마 타격 및 원자 층 에칭(ALE)

 

 

● 개최일: 2019-03-15  ● 장소: 도쿄·오타구  ●개최사: STC 社  ●참가비: ¥ 43,200 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
나노 테크 리서치 대표 노지리 카즈오씨

취지
반도체 소자의 미세화 · 고집적화가 진행됨에 따라 드라이 에칭에 부과되는 요구는 더욱 더 어려워지고 있으며, 10nm 노드 이상에서 원자 수준에서 표면 반응을 제어하는 원자층 식각 (ALE)가 필요하다 오고 있습니다.  본 세미나에서는 드라이 에칭의 최신 기술 동향, 플라즈마 데미지 및 ALE 대해 알기 쉽게 해설합니다.
최신 기술 동향에서는 Low-k Cu 다 마신 에칭, 금속 게이트 / High-k 에칭, FinFET 에칭, 3D IC 용 에칭 기술, 심지어 최근 주목 받고 있는 멀티 패터닝 및 3D NAND의 HARC 에칭에 대한 구체적인 프로세스 흐름 를 이용하여 상세하게 설명합니다.
플라즈마 데미지에 관해서는 충전 업의 발생 메커니즘 각종 에칭 장치의 충전 업 평가에 대해 설명하고 프로세스면 하드웨어면 장치 디자인 규칙면에서의 대책 방법을 공개합니다.  여기에서는 생산 현장에서 실제로 일어난 불량 사례도 소개합니다.
ALE 관해서는 먼저 원리와 특징에 대해 설명하고 다음 Si 및 GaN, AlGaN의 ALE에서 실제로 그 특징을 실현할 수 있음을 나타냅니다.  또한 10nm 로직 디바이스에 적용이 시작된 SiO2의 ALE 대해 자세히 설명합니다.
본 세미나는 오랜 반도체 제조 현장에 가까운 곳에서 일을 하고 있던 강사의 경험에 근거하고 있으므로 실용적이고 밀도 높은 내용으로 되어 있으며, 건식 식각의 프로를 목표로 최적 강좌가 있습니다.  또한, 반도체 재료 업체의 엔지니어 분들이 드라이 에칭의 최신 기술 동향을 이해하고 또한 자신들의 기술이 첨단 장치에서 어떻게 사용되고 있는지를 이해하는 데에도 도움이 세미나입니다.

얻는 기술·지식
·멀티 패터닝 및 3D NAND의 HARC에칭을 비롯한, 드라이 에칭의 최신 기술 동향을 배울 수있다.
·플라스마 타격의 발생 메카니즘에서 대책까지 그 전모를 이해할 수 있다.
·최근 화제가 되고 있는 원자층 식각(ALE)의 원리, 응용에 대해서 배울 수 있다.

프로그램
1. 최신 기술 동향
1.1 Low-k Cu다 기계 에칭
1.2 메탈 게이트/High-k에칭
1.3 FinFET에칭
1.4 멀티 정형화
1.4.1 SADP
1.4.2 SAQP
1.5 3D NAND/DRAM용 HARC에칭
1.6 3D IC용 에칭 기술
2. 드라이 에칭 타격
2.1 Si표면에 도입되는 닷?지
2.2 충전 업 타격
2.2.1 충전 업 타격의 평가 방법
2.2.2 요금 인상의 발생 메카니즘
2.2.3 각 종 에칭 장치의 차지 업 평가와 그 절감 법
2.2.4 패턴에 기인한 게이트 산화막 파괴
2.2.5 디바이스 디자인 규칙의 차지 업 타격 대책
2.2.6 차지 업 타격에 의한 불량 사례
3. 원자층 에칭(ALE)
3.1 ALE의 역사
3.2 지금 왜 ALE이 필요한가
3.3 ALE의 원리와 특징
3.4 S의 ALE
3.5 GaN, AlGaN의 ALE
3.6 SiO2의 ALE
4. 마지막으로, 드라이 에칭 기술의 향후 과제와 전망.
□ 질의 응답, 명함 교환 □

개최일시 : 2019년 3월 15일(금)9:30~13:00
개최장소 :
도쿄·오타구 평화 섬 도쿄 유통 센터 2F 제1회의실 회장 지도
수강료(세금포함) : 43,200엔

 

 

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