세미나문의: 02 703 5000    

 

 

레지스터 재료·프로세스의 최적화 노하우와 트러블 대책

 

 

● 개최일: 2019-02-26  ● 장소: 도쿄·고탄다  ●개최사: GJT 社  ●참가비: ¥ 54,000 (자료만신청/참가신청)

   진행 내용

강사
나가오카 기술과학대학 전기 전자 정보공학 전공 교수 박사(공학) 카와이 아키라씨

프로그램
【수강 대상】
처음으로 레지스터 재료를 취급하는 분, 레지스터를 사용해 제품·개발을 생산하는 분, 레지스터 분야의 기술 지도를 하는 것(분) 등, 초심자로부터 실무자까지 광범위의 분을 대상으로 하고 있습니다.

【수강 후, 습득할 수 있는 것】
레지스터를 사용하는데 있어서의 기본적인 생각, 노하우, 최적화법, 트러블 대처법, 등을 습득할 수 있습니다.  

【강연 개요】
현재, 포토레지스트(photoresist)는, 산업의 여러가지 분야에서 넓게 이용되고 있습니다.
그러나, 그 고도화에 수반해, 포토레지스트(photoresist)의 품질이 제품에게 주는 영향도 심각화되고 있습니다.
또, 포토레지스트(photoresist) 유저의 요구도 폭넓게 되어, 포토레지스트(photoresist) 재료 및 장치 메이커측은 대응에 쫓기는 상황입니다.
본 세미나에서는, 지금부터 레지스터 재료를 사용하는 유저, 레지스터 재료 개발, 처리 장치 개발, 리소그래피로 트러블을 안고 있는 분들을 대상으로, 포토레지스트(photoresist) 재료의 특성, 프로세스의 최적화, 부착·젖어·결함이라고 하는 각종 트러블에 주목해, 평가·해결의 접근을 정중하게 설명합니다.
또, 연구 개발·트러블 보충이라고 하는 실무상으로의 임하는 방법에 관하여, 풍부한 실례를 섞으면서 해설합니다.
초심자에게도 알기 쉽고, 기초로부터 배울 수 있는 내용이 되고 있습니다.
또, 최근의 경향으로서 레지스터 재료 메이커 및 장치 메이커에 대해도, 디바이스 제작의 노하우와 지식이 요구되어 오고 있습니다.
레지스터 유저의 시점이란 무엇인가를 강사의 경험도 포함해 상술합니다.
수강자가 거느리고 있는 나날의 트러블이나 노하우 상담에도 개별적으로 응합니다.

【프로그램】
1.레지스터·리소그래피 입문(이것만은 습득해 두고 싶다)
 1-1 리소그래피 프로세스의 기초
  1-1-1 프로세스 플로우
  1-1-2 레지스터재
  1-1-3 포지티브형 레지스터
  1-1-4 네가티브형 레지스터
  1-1-5 광화학 반응 메카니즘
  1-1-6 패턴 현상
  1-1-7 노광 시스템
  1-1-8 레일리의 식
  1-1-9 해상력
  1-1-10 초점심도
  1-1-11 거듭해 맞댐 기술
 1-2 레지스터 콘트라스트로 제어한다
  1-2-1 광학상 콘트라스트
  1-2-2 잔막곡선
  1-2-3 용해 콘트라스트
  1-2-4 현상 콘트라스트
  1-2-5 패턴 단면 형상 개선
 1-3 에칭 마스크로서의 레지스터 패턴
  1-3-1 플라스마란
  1-3-2 등방성과 이방성 에칭
  1-3-3 RIE
  1-3-4 에칭잔차
  1-3-5 로딩 효과
  1-3-6 선택비
  1-3-7 웨트 에칭
  1-3-8 레지스터 침투성
 1-4 레지스터 코팅 방식의 최적화
  1-4-1 점도
  1-4-2 스핀 코트
  1-4-3 도포 마을 대책
  1-4-4 스캔 코트
  1-4-5 스프레이 코트
  1-4-6 감압 베이크
  1-4-7 건조 마을
  1-4-8 잉크젯 코트
 1-5 첨단 리소그래피 기술
  1-5-1 EUV
  1-5-2 위상 시프트 마스크
  1-5-3 다층 레지스터 프로세스
  1-5-4 액침리소그래피
  1-5-5 나노 버블
  1-5-6 후막레지스터
  1-5-7 미츠조형
  1-5-8 감성 제어 패턴
  1-5-9 나노 흔적
  1-5-10 소르다레지스트
  1-5-11 적층 레지스터
  1-5-12 더블/멀티 패터닝

2.레지스터 트러블의 발생 메카니즘과 대책(최단으로의 트러블 해결을 위해서)
 2-1 레지스터 부착성의 촉진 및 저하 요인이란
  2-1-1 표면 에너지
  2-1-2 응집력
  2-1-3 응력 완화
  2-1-4 응력 집중
  2-1-5 용액 침투
  2-1-6 검사용 패턴
 2-2 건조 프로세스로의 패턴 박리를 검증한다
  2-2-1 모세관 현상
  2-2-2 패턴간 메니스커스
  2-2-3 Lucas-Washburn의 식
  2-2-4 에어 터널
 2-3 표면 에너지로부터 레지스터 부착성을 예측할 수 있다
  2-3-1 젖는 성질
  2-3-2 Young의 식
  2-3-3 표면 에너지
  2-3-4 분산과 극성
  2-3-5 Young-Dupre의 식
  2-3-6 부착 에너지 Wa
  2-3-7 확장 계수 S
  2-3-8 마도카 모델
  2-3-9 부착성과 밀착성의 차이
 2-4 드라이 중에서의 부착성은 용액중과 반대의 결과가 된다
  2-4-1 연화점 효과
  2-4-2 극성 성분γp효과
  2-4-3 최적 조건의 설정 방법
 2-5 과잉인 HMDS 처리는 레지스터막의 부착성을 저하시킨다
  2-5-1 최적인 처리 온도와 처리 시간
  2-5-2 장치 설계
 2-6 Al막상에서의 레지스터 부착 불량과 해결 방법
  2-6-1 친수화
  2-6-2 소수화 처리
  2-6-3 산화 피막 형성
  2-6-4 WBL
 2-7 패턴 볼록부분은 오목한 부분보다 박리하기 쉽다
  2-7-1 언더 컷 형상
  2-7-2 응력 해석
  2-7-3 응력 집중 효과
  2-7-4 열 응력
  2-7-5 표면 경화층의 영향)
 2-8 레지스터막의 응력을 in-situ 측정한다
  2-8-1 감압 처리
  2-8-2 응력 완화와 발생
  2-8-3 용제 건조
  2-8-4 확산 모델
 2-9 레지스터막의 팽윤을 계측한다
  2-9-1 알칼리액의 침투
  2-9-2 쿠라우지우스·모소티의 식
  2-9-3 굴절률 평가
  2-9-4 도전성 해석
 2-10 레지스터막의 결함 발생 메카니즘과 대책
  2-10-1 건조 마을
  2-10-2 베나르셀
  2-10-3 환경 응력 균열
  2-10-4 핀홀
  2-10-5 막 벗겨져서
 2-11 드라이 필름 레지스터(DFR)의 부착성
  2-11-1 도금시의 Eaves 불량
  2-11-2 버블 대책
 2-12 나노 흔적에 있어서의 박리잔차대책
  2-12-1 소수화에 의한 리형처리
  2-12-2 부착성 해석
 2-13 워터 마크(건조자국)는 이렇게 해 발생한다
  2-13-1 건조 메카니즘
  2-13-2 액체내의 대류 효과
  2-13-3 핀닝
  2-13-4 패턴 형상 의존성)
 2-14 레지스터 표면의 아주 적음 기포 대책
  2-14-1 기포의 핀닝 효과
  2-14-2 에너지 안정성 해석
 2-15 레지스터 결함 대책
  2-15-1 필터링의 기초
  2-15-2 미스트
  2-15-3 응집 이물
  2-15-4 겔
  2-15-5 버블
3.레지스터 재료 프로세스의 고 품위화(고부가 가치의 레지스터를 목표로 한다)
 3-1 아주 적음 패턴의 물성
  3-1-1 표면 사이즈 효과
  3-1-2 고분자 집합체
  3-1-3 입자 응집 모델
  3-1-4 나노 웨트 효과
 3-2 레지스터 패턴 1개의 부착력을 실측한다
  3-2-1 DPAT법
  3-2-2 계측 감도
  3-2-3 나노 사이즈의 부착력의 실험식
 3-3 고분자 집합체를 시장조작 한다
  3-3-1 레지스터 패턴으로부터의 집합체 분리
  3-3-2 Derjaguin 근사
 3-4 레지스터막중의 나노 공간을 본다
  3-4-1 vacancy
  3-4-2 나노 스틱 슬립
  3-4-3 패턴 구조 설계
 3-5 레지스터 패턴 1개의 신장 탄성률을 실측한다
  3-5-1 빔 모델
  3-5-2 측정 방법
  3-5-3 신장 탄성률 계측
  3-5-4 강도 설계
 3-6 레지스터막표면에는 나노 경화층이 존재한다
  3-6-1 AFM 인덴테이션법
  3-6-2 단면 경화층 분포
  3-6-3 LER 평가
 3-7 레지스터막표면의 나노 기포를 본다
  3-7-1 AFM 나노 버블 관찰
 3-8 레지스터 평탄성
  3-8-1 평탄화의 요인
  3-8-2 계측 평가법
 3-9 레지스터막의 초 박막화
  3-9-1 싱글 나노 막후의 형성
 3-10 레지스터 제거 기술
  3-10-1 드라이
  3-10-2 웨트
  3-10-3 찌꺼기 제거
4.기술개발 및 각종 트러블 상담(평소의 트러블 서포트 등에 개별적으로 응하는)
【질의응답】

개최일시 : 2019년 2월 26일 (화) 10:00~17:00
개최장소 : [도쿄·고탄다]기술 정보 협회 세미나 룸
수강료(세금포함) : 54,000엔

 

 

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